158 日韩半导体战争

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　　1975年日本人以通产省为中心的“下世代电子计算机用VLSI研究开发计划”构想，设立了官民共同参与的“超大规模集成电路(VLSI)研究开发政策委员会”。

　　第二，官产学三位一体，制定国家项目进行重点攻关。

　　1976年日本启动VLSI研究项目。1976年3月经通产省、大藏省等多次协商，日本政府启动了“DRAM制法革新”国家项目。

　　由日本政府出资320亿日元，日立、NEC、富士通、三菱、东芝五大公司联合筹资400亿日元。

　　总计投入720亿日元为基金，由日本电子综合研究所和计算机综合研究所牵头，设立国家性科研机构-VLSI技术研究所。

　　日本人官产学三位一体，协调发展，通力合作，齐心协力，针对高难度、高风险的研究项目，VLSI研究所组织多个实验室以会战的方式，调动各单位的积极性，发挥良性竞争，各企业之间技术共享合作，共同提高DRAM量产成功率。

　　期间申请的实用新型专利和商业专利，分别达到1210件和347件。

　　研发的主要成果包括各型号电子束曝光设备，采用紫外线、X射线、电子束的各型制版复印设备、干式蚀刻设备等，取得了一系列引人注目的成果。

　　这为美日半导体战争，打下了坚实的产业和科研基础。

　　第三，举国体制，突破产业链上下游，特别是半导体关键生产制造设备。70年代日本虽然可以生产DRAM内存芯片。

　　但是，最为关键的生产制程设备和原材料主要来自米国，为了补足短板，日本人组织800名技术人员进行重点攻关，共同研制高性能的国产化DRAM生产设备，不仅实现64K  DRAM和256K  DRAM的商用化，也实现1M  DRAM商用化的关键生产制程设备。

　　在DRAM生产制程设备攻关体系中，日本人团结一致、齐心协力，这种举国体制的国家力量令人震惊。

　　这为后期美日半导体战争中，以集团军作战的方式在256K  DRAM的决定性战斗中一举打垮米国50家半导体联盟的战争中立下赫赫战功。

　　第一研究室，日立公司，负责电子束扫描设备与微缩投影紫外线曝光设备，室长：右高正俊。

　　第二研究室，富士通公司，负责研制可变尺寸矩形电子束扫描设备，室长：中村正。

　　第三研究室，东芝公司，负责EB扫描设备与制版复印设备，室长：武石喜幸。

　　第四研究室，电气综合研究所，对硅晶体材料进行研究，室长：饭隆。

　　第五研究室，三菱电机，开发制程技术与投影曝光设备，室长：奥泰二。

　　第六研究室，NEC公司，进行产品封装设计、测试和评估研究，室长：川路昭。

　　直到2010年之前，日本的半导体设备指数和米国费城半导体指数BB值，是评估全球半导体行业景气度的两个关键指标。

　　1978年日本人发明64k  DRAM，其问世标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临，硅片直径为100-125mm，芯片面积为26.6mm2，集成度为155000。主要技术为循环位线、折叠数据线。

　　1980年日本人发明256k  DRAM，硅片直径为125-150mm，芯片面积为34.8mm2，集成度为555000，主要技术为三层多晶硅和冗余技术。

　　在推进DRAM产业化方面，日本政府为半导体企业提供高达16亿美金的巨额资金，包括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策，帮助日本企业打造DRAM集成电路产业集群，并最终一举赢取第一次DRAM世界大战-美日半导体战争的胜利。

　　在科技红利之有效研发投入上，远远超过米国人，这才是日本人获胜的本质。

　　1980开始第一次全球半导体硅含量提升周期进入加速期，作为全球最大消费市场的米国，以苹果为代表的一批公司，推进了大型机、小型机向普通家庭的快速普及。

　　在一年时间内，米国家用电脑出货量从4.8万台，暴增到20万台，家庭电脑的高速增长，对存储器芯片产生了大量需求，日本人在DRAM核心技术的科技红利领先，这给日本DRAM厂商带来了抢占米国市场的

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