158 日韩半导体战争

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机会。

　　1980年，米国惠普公布DRAM内存采购情况，对竞标的3家日本公司和3家米国公司的16K  DRAM芯片进行检测，质量检验结果为：

　　米国三家最好DRAM公司的芯片不合格率，比日本三家DRAM公司的芯片不合格率，整整高出6倍。

　　三家米国公司是英特尔、德州仪器和莫斯泰克。

　　三家日本公司是NEC、日立和富士通。

　　三十年集聚一朝奋起，到1986年日本人占据全球DRAM存储器芯片市场80%份额，成为当时全球半导体产业的新霸主。

　　日本人的大获全胜，为全球半导体发展天朝家树立了一个成功逆袭的典范。

　　1985、1991年两次签署的《美日半导体协议》，虽然给日本人进行极大的制约，虽然米国人全力扶持韩国人，但造成日本人在1986-1997年的第二次DRAM世界大战-日韩半导体战争中失败，十年间断崖式下滑的主要原因还是日本人在科技红利之有效研发投入上的不足。

　　日本在64M  DRAM关键技术有效研发投入上大大落后于韩国人，日本人就此错失了第二次、第三次全球半导体硅含量提升周期，错失PC、笔记本、手机等快速普及的市场红利。

　　1985年开始日本经济进入泡沫化，房地产就像打了鸡血，全民进入炒房时代。1985年日本人砍掉近40%的设备更新投资和科技红利投入，1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元下降到只有2650亿日元，下降幅度达到80%，这就给了韩国人反超的机会。

　　日韩半导体战争后，日本人已无力回天。1999年富士通宣布退出DRAM市场。曾经的三巨头NEC、日立、三菱三家公司的DRAM部门合并，成立尔必达(Elpida)。

　　尔必达与天朝台湾省的力晶半导体建立联盟以抗衡韩国人。

　　2008-2009年，中芯国际面临台积电在米国的337调查和诉讼，尔必达无奈终止和中芯国际的合作，尔必达彻底失去最后的生机。

　　2010-2011年，尔必达陷入困境，连续5个季度亏损，申请破产保护。

　　2012年7月，镁光科技以25亿美金收购尔必达。

　　美日两国半导体产业长达50年相爱相杀，恩怨情仇，就此烟消云散。

　　尔必达的失败，有外因，也有内部因素。尔必达自成立起，有三大内伤，埋下日后覆灭的因子：

　　第一，管理上官本位，三家合并后，管理岗位的分配并不是按照能力和职能进行分配，而是，任何岗位一定要共同参与，比如某一岗位，一正一副，如果正职来自NEC，那么日立一定是副职。这种管理在现代企业发展史上也是奇葩了。

　　第二，研发文化的冲突，特别是技术路径的分歧巨大。比如在64M升级到256M  DRAM的技术攻关中，NEC强调技术体系的统一性，要求在64M的基础上实现技术升级，而日立强调技术的创新和突破，要求采用新材料、新结构等新技术寻求技术突破。NEC认为统一性能保证较高的成品率，而日立则是优先考虑用新技术带来突破，再去研究统一性问题。NEC强调统一性，而日立提倡突破性，这是两种完全不同的研发文化，带来的思维方式完全不同的，这使得DRAM关键技术研发上，争吵不已、拖沓冗长，完全落后于韩国人的研发进度。

　　第三，工艺、设备等生产供应链的不兼容。尔必达成立后，没有及时将关键工艺的供应链进行整合，比如清洗液和清洗设备，NEC、日立、三菱居然都是不同的，在关键技术研发上，甚至出现了NEC研发中心开发的新技术，根本无法完全应用于日立的生产体系中，这使得NEC研发中心开发新技术后，需要先经过日立研发中心的调整和验证，才能够应用于原来日立的生产工艺体系中。

　　2016年5月，日本东芝与米国闪迪(SanDisk)，合资建设12英寸晶圆厂，投资超过40亿美金，主要生产48层堆叠的3D  NAND闪存芯片，希望能够和韩国人再次较量一场。

　　然并卵，依旧无法抵御于依托天朝大陆市场战略纵深的三星，2017年，东芝出售半导体存储器。至此，日韩半导体战争画上最终句号。
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